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三星宣布扩产!平泽NAND新产线2021下半年投入量产_科技频道_东方

发布日期:2020-06-06 04:33   来源:未知   阅读:

6月1日消息,三星电子宣布 计划扩大其在平泽市的NAND生产能力,以增强其满足新兴技术需求的能力。该扩建工程将在今年5月动工,计划在 2021年下半年开始量产三星先进的V-NAND存储芯片,以满足不断增长的数据中心和智能手机存储需求。

三星电子存储器全球销售与市场部执行副总裁Cheol Choi表示,“这项新投资重申了我们致力于保持存储技术领域领先地位的承诺,即使在市场面临极大的不确定时依然如此。我们将继续以最优化的解决方案为市场服务,同时为整个IT行业和整体经济的增长做出贡献。”

在人工智能,物联网和5G扩展推动下,催生出海量大容量存储需求,三星电子积极布局,增加投资,是为保证其在未来市场竞争中保持领先地位。

目前,三星电子NAND Flash生产线主要分布在韩国华城、平泽以及中国西安。其中,西安二期工厂和平泽P2工厂在积极扩建中。近期,三星包机派遣200多名扩建所需技术人员赴西安,加速推进西安工厂扩建工作。

平泽P2工厂作为NAND Flash和DRAM的混合产线于今年五月份安装设备同时建设极紫外光刻(EUV)生产线,计划生产先进的DRAM。而此次扩产是针对NAND Flash产线。

在NAND Flash投入上,除了在产能上持续投资之外,三星也正在加快先进制程的过渡,于今年三月份宣布将在平泽P1产线由第五代V-NAND更新为最先进的第六代V-NAND(100+层),西安二期产线量产第五代V-NAND,以完全满足高端市场存储需求。

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